IPB037N06N3G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPB037N06N3G中文资料参数规格
技术参数
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 8000pF @30VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IPB037N06N3G引脚图与封装图
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在线购买IPB037N06N3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB037N06N3G | Infineon 英飞凌 | 60V,90A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPB037N06N3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB037N06N3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 | 当前型号 | 60V,90A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IPB037N06N3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 90A | 完全替代 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB037N06N3GATMA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | IPB037N06N3G和IPB037N06N3GATMA1的区别 |
| 型号： IPB034N06L3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 90A | 类似代替 | INFINEON IPB034N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V | IPB037N06N3G和IPB034N06L3GATMA1的区别 |
| 型号： IPB034N06N3G 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-Channel | 类似代替 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | IPB037N06N3G和IPB034N06N3G的区别 |