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DS2065W-100#、DS3065W-100#、DS2065W-100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS2065W-100# DS3065W-100# DS2065W-100

描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 256BGAIC NVSRAM 8Mbit 100NS 256BGA3.3V单件的8Mb非易失SRAM 3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 BGA-256 BGA-256 BGA-256

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 100 ns 100 ns -

内存容量 - 8000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

封装 BGA-256 BGA-256 BGA-256

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free