DS2065W-100#
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
DS2065W-100#中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
存取时间 100 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 BGA-256
外形尺寸
封装 BGA-256
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
DS2065W-100#引脚图与封装图
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在线购买DS2065W-100#
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS2065W-100# | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 8Mbit 100NS 256BGA | 搜索库存 |
替代型号DS2065W-100#
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS2065W-100# 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： 256-BGA 3.3V | 当前型号 | IC NVSRAM 8Mbit 100NS 256BGA | 当前型号 |
| 型号： DS3065W-100# 品牌： 美信 封装： BGA 8000000B 3.3V 100ns | 完全替代 | IC NVSRAM 8Mbit 100NS 256BGA | DS2065W-100#和DS3065W-100#的区别 |
| 型号： DS2065W-100 品牌： 美信 封装： 256-BGA 3.3V | 完全替代 | 3.3V单件的8Mb非易失SRAM 3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM | DS2065W-100#和DS2065W-100的区别 |