MMBT2907ALT1G、SMBT2907AE6327HTSA1、NSCT2907ALT3G对比区别

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型号 MMBT2907ALT1G SMBT2907AE6327HTSA1 NSCT2907ALT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFEInfineon SMBT2907AE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:100, 200（最小）MHz, 3引脚 SOT-23封装SOT-23 PNP 60V 0.6A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 200 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V

额定电流 -600 mA - -

额定功率 300 mW - -

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 225 mW 330 mW -

输入电容 30 pF - -

上升时间 40 ns - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 300 mW 330 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 200 100 -

下降时间 30 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 330 mW -

长度 3.04 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -