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APT17F100B、IXFH15N100、IXFT15N100Q3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT17F100B IXFH15N100 IXFT15N100Q3

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH15N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 4.5 VPower Field-Effect Transistor,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Littelfuse (力特)

分类 MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

额定电压(DC) 1.00 kV - -

额定电流 17.0 A - -

耗散功率 625W (Tc) 360 W -

输入电容 2.25 nF - -

栅电荷 90.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 15.0 A -

上升时间 31 ns 30 ns -

输入电容(Ciss) 4845pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) -

下降时间 28 ns 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 625W (Tc) 360W (Tc) -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.7 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 4.5 V -

漏源击穿电压 - 1000 V -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 21.46 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -