APT17F100B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT17F100B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 17.0 A
耗散功率 625W Tc
输入电容 2.25 nF
栅电荷 90.0 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 4845pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT17F100B引脚图与封装图
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在线购买APT17F100B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT17F100B | Microsemi 美高森美 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | 搜索库存 |
替代型号APT17F100B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT17F100B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 1kV 17A 2.25nF | 当前型号 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | 当前型号 |
| 型号： IXFH15N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 15A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH15N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 4.5 V | APT17F100B和IXFH15N100的区别 |
| 型号： IXFH15N100Q3 品牌： 力特 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, | APT17F100B和IXFH15N100Q3的区别 |