IRL3705ZSPBF、IRL3705ZSTRLPBF、IRL3705ZS对比区别
型号 IRL3705ZSPBF IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZS
描述 N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 86A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 3 -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 130 W 130 W 130W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86A
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 130000 mW 130W (Tc) 130W (Tc)
额定功率 130 W 130 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.008 Ω 8 mΩ -
阈值电压 3 V 3 V -
上升时间 240 ns 240 ns -
下降时间 83 ns 83 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
通道数 - 1 -
输入电容 - 2880 pF -
漏源击穿电压 - 55 V -
额定功率(Max) - 130 W -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 9.65 mm 11.3 mm -
高度 4.83 mm 4.83 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -