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IPB530N15N3G、IPB90N06S4L-04、IPB60R380C6对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB530N15N3G IPB90N06S4L-04 IPB60R380C6

描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorINFINEON  IPB60R380C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 2

封装 TO-263-2 TO-263-3 TO-252-3

输入电容(Ciss) 667pF @75V(Vds) - 700pF @100V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 68 W - 83W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 2

漏源极电阻 - - 0.34 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 150 W 83 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) - 60 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 90A 10.6A

上升时间 - 6 ns 10 ns

额定功率(Max) - - 83 W

下降时间 - 20 ns 9 ns

长度 10.31 mm 10 mm 10.31 mm

宽度 9.45 mm 9.25 mm 9.45 mm

高度 4.57 mm 4.4 mm 4.57 mm

封装 TO-263-2 TO-263-3 TO-252-3

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -