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IPB90N06S4L-04

IPB90N06S4L-04

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
.
AEC qualified
.
MSL1 up to 260°C peak reflow
.
175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 60V on 
.
highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB90N06S4L-04中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 6 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Solenoids control, Single-ended motors, Lighting, Valves control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB90N06S4L-04引脚图与封装图
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在线购买IPB90N06S4L-04
型号 制造商 描述 购买
IPB90N06S4L-04 Infineon 英飞凌 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPB90N06S4L-04
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPB90N06S4L-04

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263 N-CH 60V 90A

当前型号

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

当前型号

型号： IPB80N06S4L-05

品牌： 英飞凌

封装： TO-263-3 N-CH 60V 80A

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IPB90N06S4L-04和IPB80N06S4L-05的区别

型号： IPB530N15N3G

品牌： 英飞凌

封装： PG-TO263-2

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IPB90N06S4L-04和IPB530N15N3G的区别

型号： IPB60R380C6

品牌： 英飞凌

封装： TO-263 N-Channel 600V 10.6A

功能相似

INFINEON  IPB60R380C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

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