APT56F60B2、IXFT50N60P3、APT56F60L对比区别

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型号 APT56F60B2 IXFT50N60P3 APT56F60L

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-264 N-CH 600V 60A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-264-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 90 mΩ - -

耗散功率 1.04 kW 1040W (Tc) 1040000 mW

阈值电压 2.5 V 5 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

上升时间 75 ns 20 ns 75 ns

输入电容(Ciss) 11300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)

下降时间 60 ns 17 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc)

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 50A 60A

额定功率(Max) - - 1040 W

封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-264-3

长度 - 16.05 mm -

宽度 - 14 mm -

高度 - 5.1 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅