APT56F60L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT56F60L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1040000 mW
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 11300pF @25VVds
额定功率Max 1040 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
APT56F60L引脚图与封装图
暂无图片
替代型号APT56F60L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT56F60L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 N-CH 600V 60A | 当前型号 | TO-264 N-CH 600V 60A | 当前型号 |
| 型号： IXFH50N60P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 50A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V | APT56F60L和IXFH50N60P3的区别 |
| 型号： IXFQ50N60P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 600V 50A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | APT56F60L和IXFQ50N60P3的区别 |
| 型号： IXFX48N60Q3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 600V 48A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | APT56F60L和IXFX48N60Q3的区别 |