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TLV2624IDR、TLV2624IDRG4、TSV914AIDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2624IDR TLV2624IDRG4 TSV914AIDT

描述 系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWNTSV914A 系列 5.5 V 8 MHz 轨对轨 输入/输出 运算放大器 - SOIC-14

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

输出电流 28mA @5V 28mA @5V 35 mA

供电电流 800 µA 800 µA 820 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

针脚数 - - 14

共模抑制比 78 dB 78 dB 82 dB

带宽 11.0 MHz 11.0 MHz 8 MHz

增益频宽积 11 MHz 11 MHz 8 MHz

输入补偿电压 250 µV 250 µV 1.5 mV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 11 MHz - 8 MHz

共模抑制比(Min) 78 dB 78 dB 62 dB

电源电压 - - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 2.5 V

耗散功率 1.022 W 1.022 W -

输入补偿漂移 3.00 µV/K 3.00 µV/K -

转换速率 6.00 V/μs 6.00 V/μs -

过温保护 No No -

耗散功率(Max) 1022 mW 1022 mW -

长度 - - 8.75 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99