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ISL2111ABZ、LM5101AM/NOPB、ISL2111ABZ-T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL2111ABZ LM5101AM/NOPB ISL2111ABZ-T

描述 INTERSIL  ISL2111ABZ  芯片, MOSFET驱动器, 半桥, TTL, 8-SOICTEXAS INSTRUMENTS  LM5101AM/NOPB  芯片, MOSFET栅极驱动器100V,3A/4A峰值电流,高频率半桥驱动

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 8.00V (min) 14.0V (max) -

上升/下降时间 9ns, 7.5ns 430ns, 260ns 9ns, 7.5ns

输出接口数 2 2 2

通道数 - 2 -

针脚数 8 8 -

静态电流 - 200 µA -

上升时间 - 430 ns 9 ns

下降时间 - 260 ns 7.5 ns

下降时间(Max) 7.5 ns 260 ns 7.5 ns

上升时间(Max) 9 ns 430 ns 9 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

电源电压 8V ~ 14V 9V ~ 14V 8V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V 14 V 14 V

电源电压(Min) 8 V 9 V -

耗散功率 1300 mW - 1.3 W

耗散功率(Max) 1300 mW - 1300 mW

输出电流 - - 4 A

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.45 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99