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BC857BM、BC857BM,315对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BM BC857BM,315

描述 PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 DFN SOT-883

频率 - 100 MHz

针脚数 - 3

耗散功率 - 0.43 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 150 mW

直流电流增益(hFE) - 220

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 430 mW

极性 PNP -

集电极最大允许电流 0.1A -

封装 DFN SOT-883

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅