BC857BM
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
电子元器件分类
BC857BM中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN
外形尺寸
封装 DFN
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BC857BM引脚图与封装图
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在线购买BC857BM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC857BM | NXP 恩智浦 | PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors | 搜索库存 |
替代型号BC857BM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857BM 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors | 当前型号 |
| 型号： BC857BM,315 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE | BC857BM和BC857BM,315的区别 |
