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BF421L、BF421,112、BF421-AMMO对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF421L BF421,112 BF421-AMMO

描述 PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistorsSPT PNP 300V 0.05ATRANSISTOR 50 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 SPT TO-226-3 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A -

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @25mA, 20V -

额定功率(Max) - 830 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 830 mW -

封装 SPT TO-226-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -