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BF421,112
NXP(恩智浦) 分立器件

SPT PNP 300V 0.05A

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 300V 0.05A TO92-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.05A 830mW 3-Pin TO-92 Bulk


BF421,112中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF421,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BF421,112 NXP 恩智浦 SPT PNP 300V 0.05A 搜索库存
替代型号BF421,112
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型号: BF421,112

品牌: NXP 恩智浦

封装: SPT PNP

当前型号

SPT PNP 300V 0.05A

当前型号

型号: BF421L

品牌: 恩智浦

封装:

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