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DTA113ZU3T106、DTA113ZUAT106对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA113ZU3T106 DTA113ZUAT106

描述 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率ROHM  DTA113ZUAT106  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 33 hFE

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-323-3 SC-70-3

额定功率 0.2 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 33 @5mA, 5V 33 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW

额定电压(DC) - -50.0 V

额定电流 - -100 mA

极性 - PNP

耗散功率 - 200 mW

集电极最大允许电流 - 100mA

直流电流增益(hFE) - 33

封装 SOT-323-3 SC-70-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15