DTA113ZUAT106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA113ZUAT106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.2 W
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 33 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 33
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
DTA113ZUAT106引脚图与封装图 
DTA113ZUAT106引脚图
DTA113ZUAT106封装图
DTA113ZUAT106封装焊盘图
在线购买DTA113ZUAT106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA113ZUAT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTA113ZUAT106 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 33 hFE | 搜索库存 |
替代型号DTA113ZUAT106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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