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IXDF402SIA、IXDF602SIATR、UCC37325D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDF402SIA IXDF602SIATR UCC37325D

描述 MOSFET DRVR 2A 2Out Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A双4 -A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 DUAL 4-A PEAK HIGH SPEED LOW-SIDE POWER MOSFET DRIVERS

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 8 ns 7.5ns, 6.5ns 20ns, 15ns

输出接口数 - 2 2

上升时间 - 15 ns 23 ns

下降时间 - 15 ns 23 ns

下降时间(Max) - 15 ns 40 ns

上升时间(Max) - 15 ns 40 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4V ~ 15V

电源电压(DC) - - 4.00V (min)

输出电流 - - 4 A

耗散功率 - - 1140 mW

耗散功率(Max) - - 1140 mW

电源电压(Max) - - 15 V

电源电压(Min) - - 4 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99