IRLR3103PBF、IRLR3103TRPBF、IRLR3103对比区别

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型号 IRLR3103PBF IRLR3103TRPBF IRLR3103

描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRLR3103TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V 新DPAK N-CH 30V 55A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 107 W 107 W 107W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 55A 55A 55A

输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 107W (Tc) 107W (Tc) 107W (Tc)

额定功率 69 W 69 W -

额定功率(Max) 107 W 107 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.019 Ω -

阈值电压 - 1 V -

上升时间 - 210 ns -

反向恢复时间 - 81 ns -

正向电压(Max) - 1.3 V -

下降时间 - 54 ns -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -