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JAN2N3739、JANTX2N3739、2N3738对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3739 JANTX2N3739 2N3738

描述 TO-66 NPN 300V 1ATO-66 NPN 300V 1ATrans GP BJT NPN 225V 0.25A 3Pin(2+Tab) TO-66

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 20 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @250mA, 10V -

额定功率(Max) - 20 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -