JAN2N3739
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN2N3739中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 1A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JAN2N3739引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N3739
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3739 | Microsemi 美高森美 | TO-66 NPN 300V 1A | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3739
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3739 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 NPN | 当前型号 | TO-66 NPN 300V 1A | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3739 品牌： 美高森美 封装： TO-66 NPN 20000mW | 完全替代 | TO-66 NPN 300V 1A | JAN2N3739和JANTX2N3739的区别 |
| 型号： 2N3739 品牌： 美高森美 封装： TO-66 | 完全替代 | NPN Transistor | JAN2N3739和2N3739的区别 |
| 型号： NTE124 品牌： NTE Electronics 封装： TO-66 NPN 650mW | 类似代替 | TO-66 NPN 300V 1A | JAN2N3739和NTE124的区别 |
