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FQS4900、FQS4900TF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQS4900 FQS4900TF

描述 双N和P沟道逻辑电平MOSFET Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFETTrans MOSFET N/P-CH 60V/300V 1.3A/0.3A 8Pin SOP T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOP SOIC-8

引脚数 - 8

极性 N+P N-Channel, P-Channel

漏源极电压(Vds) 60V, 300V 60V, 300V

连续漏极电流(Ids) 1.3A/0.3A 300 mA

额定功率(Max) - 2 W

通道数 - 2

耗散功率 - 2000 mW

栅源击穿电压 - ±20.0 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

封装 SOP SOIC-8

宽度 - 3.9 mm

高度 - 1.55 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99