FQS4900TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQS4900TF中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2000 mW
漏源极电压Vds 60V, 300V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQS4900TF引脚图与封装图
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在线购买FQS4900TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQS4900TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N/P-CH 60V/300V 1.3A/0.3A 8Pin SOP T/R | 搜索库存 |
替代型号FQS4900TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQS4900TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 300V 300mA | 当前型号 | Trans MOSFET N/P-CH 60V/300V 1.3A/0.3A 8Pin SOP T/R | 当前型号 |
| 型号： FQS4900 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 双N和P沟道逻辑电平MOSFET Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET | FQS4900TF和FQS4900的区别 |