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THS3120CDR、THS3120ID、LM6181IN/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS3120CDR THS3120ID LM6181IN/NOPB

描述 低噪声,高输出驱动,电流反馈,运算放大器 LOW-NOISE, HIGH-OUTPUT DRIVE, CURRENT-FEEDBACK, OPERATIONAL AMPLIFIERS低噪声,高输出驱动,电流反馈,运算放大器 LOW-NOISE, HIGH-OUTPUT DRIVE, CURRENT-FEEDBACK, OPERATIONAL AMPLIFIERSJFET 输入运算放大器,TL030 和 TL050 系列Texas Instruments TL050 系列是增强型 JFET 输入运算放大器系列,提供比之前的 TL070 和 TL080 系列更低的偏置电压以及改进的直流和交流特性。 与早期 TL060 系列相比,低功率 TL030 系列可提供类似改进。### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

供电电流 7 mA 7 mA 7.5 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

耗散功率 1050 mW 1050 mW -

共模抑制比 - 63dB ~ 70dB 50 dB

输入补偿漂移 - 10.0 µV/K 5.00 µV/K

带宽 130 MHz 130 MHz 100 MHz

转换速率 1.70 kV/μs 1.50 kV/μs 1.40 kV/μs

增益频宽积 - 130 MHz 100 MHz

输入补偿电压 2 mV 2 mV 3.5 mV

输入偏置电流 3 µA 3 µA 5 µA

可用通道 S S -

输出电压(Max) - 13 V -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 130 MHz 130 MHz 100 MHz

增益带宽 - 105 MHz 50 dB

耗散功率(Max) - 1050 mW -

共模抑制比(Min) - 62 dB 50 dB

电源电压(Max) - 30 V -

电源电压(Min) - 10 V -

电源电压(DC) - - 15.0 V

工作电压 - - 7V ~ 32V

输出电流 - - 130 mA

电源电压 - - 7V ~ 32V

长度 4.9 mm 4.9 mm 9.27 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 6.35 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 3.3 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -