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FDZ2551N、FDZ2553N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDZ2551N FDZ2553N

描述 双N沟道2.5V指定PowerTrenchTM BGA封装的MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 BGA WFBGA-18

极性 N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 9A 9.60 A

额定电压(DC) - 20.0 V

额定电流 - 9.60 A

漏源极电阻 - 14.0 mΩ

耗散功率 - 2.10 W

漏源击穿电压 - 20.0 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V

输入电容(Ciss) - 1299pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 2.1 W

封装 BGA WFBGA-18

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)