FDZ2553N
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDZ2553N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 9.60 A
漏源极电阻 14.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.10 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 9.60 A
输入电容Ciss 1299pF @10VVds
额定功率Max 2.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 WFBGA-18
外形尺寸
封装 WFBGA-18
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDZ2553N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDZ2553N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDZ2553N | Fairchild 飞兆/仙童 | 单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench | 搜索库存 |
替代型号FDZ2553N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDZ2553N 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 20V 9.6A 14mohms | 当前型号 | 单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench | 当前型号 |
| 型号： FDZ2551N 品牌： 飞兆/仙童 封装： BGA N-CH 20V 9A | 功能相似 | 双N沟道2.5V指定PowerTrenchTM BGA封装的MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET | FDZ2553N和FDZ2551N的区别 |