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CYDM064B16-55BVXI、CYDM256B16-55BVXI、70P245L65BYGI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDM064B16-55BVXI CYDM256B16-55BVXI 70P245L65BYGI

描述 1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8 MoBL㈢双口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL® Dual-Port Static RAMCYDM256B16 系列 256 Kb (16 K x 16) 1.8 V 55 ns 双端口 静态RAM FBGA-100IC SRAM 64Kbit 65NS 100FBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 100 100 100

封装 VFBGA-100 VFBGA-100 TFBGA-100

电源电压(DC) 3.00 V 3.00 V -

供电电流 25 mA 25 mA -

位数 - 16 -

存取时间 55 ns 55 ns -

存取时间(Max) 55 ns 55 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 0.66 mm 0.66 mm -

封装 VFBGA-100 VFBGA-100 TFBGA-100

长度 - - 6.00 mm

宽度 - - 6.00 mm

厚度 - - 1.00 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -