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CYDM256B16-55BVXI

CYDM256B16-55BVXI

数据手册.pdf

CYDM256B16 系列 256 Kb 16 K x 16 1.8 V 55 ns 双端口 静态RAM FBGA-100

SRAM - 双端口,MoBL 存储器 IC 256Kb(16K x 16) 并联 55 ns 100-VFBGA(6x6)


立创商城:
CYDM256B16-55BVXI


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IC SRAM 256KBIT 55NS 100VFBGA


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SRAM Chip Async Dual 1.8V 256K-Bit 16K x 16 55ns 100-Pin VFBGA Tray


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CYDM256B16 Series 256 kb 16 K x 16 1.8 V 55 ns Dual-Port Static RAM - FBGA-100


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CYDM256B16-55BVXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00 V

供电电流 25 mA

位数 16

存取时间 55 ns

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 VFBGA-100

外形尺寸

高度 0.66 mm

封装 VFBGA-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CYDM256B16-55BVXI引脚图与封装图
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在线购买CYDM256B16-55BVXI
型号 制造商 描述 购买
CYDM256B16-55BVXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 CYDM256B16 系列 256 Kb 16 K x 16 1.8 V 55 ns 双端口 静态RAM FBGA-100 搜索库存
替代型号CYDM256B16-55BVXI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CYDM256B16-55BVXI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: BGA-100 3V

当前型号

CYDM256B16 系列 256 Kb 16 K x 16 1.8 V 55 ns 双端口 静态RAM FBGA-100

当前型号

型号: CYDM064B16-55BVXI

品牌: 赛普拉斯

封装: PBGA 3V

完全替代

1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8 MoBL㈢双口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL® Dual-Port Static RAM

CYDM256B16-55BVXI和CYDM064B16-55BVXI的区别

型号: CYDM128B16-55BVXI

品牌: 赛普拉斯

封装: PBGA 3V

完全替代

1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8的MoBL双端口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM

CYDM256B16-55BVXI和CYDM128B16-55BVXI的区别

型号: CYDM128B16-55BVXIT

品牌: 赛普拉斯

封装: PBGA

完全替代

SRAM Chip Async Dual 1.8V 128Kbit 8K x 16 55ns 100Pin VFBGA T/R

CYDM256B16-55BVXI和CYDM128B16-55BVXIT的区别