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JAN2N3498L、JANS2N3498对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3498L JANS2N3498

描述 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-5 TO-39

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-5 TO-39

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 -

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 0.5A

耗散功率 1 W -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW -

材质 Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -