JANS2N3498
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JANS2N3498中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 0.5A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
其他
产品生命周期 Active
JANS2N3498引脚图与封装图
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在线购买JANS2N3498
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N3498 | Microsemi 美高森美 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANS2N3498
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N3498 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3498 品牌： 美高森美 封装： ~30deg 1000mW | 完全替代 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3498和JANTX2N3498的区别 |
| 型号： JAN2N3498L 品牌： 美高森美 封装： ~30deg 1000mW | 类似代替 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3498和JAN2N3498L的区别 |
| 型号： JAN2N3498 品牌： 美高森美 封装： ~30°C/W | 类似代替 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3498和JAN2N3498的区别 |
