BC635、BC635RL1G对比区别

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型号 BC635 BC635RL1G

描述 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORTO-92 NPN 45V 1A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-92-3 TO-226-3

针脚数 - -

极性 NPN NPN

耗散功率 1.00 W -

直流电流增益(hFE) - -

工作温度(Max) - -

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 625 mW

耗散功率(Max) 1 W -

集电极最大允许电流 - 1A

封装 TO-92-3 TO-226-3

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 -