SI4848DY-T1-E3、SI4848DY-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-GE3

描述 VISHAY  SI4848DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.068Ω, 2.7AVISHAY  SI4848DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.068 Ω 0.068 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.5 W 1.5 W

阈值电压 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.70 A 2.70 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW -

上升时间 - 10 ns

下降时间 - 17 ns

长度 5 mm 4.9 mm

高度 1.55 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - 3.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -