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SI4848DY-T1-E3

SI4848DY-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI4848DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.068Ω, 2.7A

The is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

.
-55 to 150°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
单 N 沟道 150 V 0.085 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4848DY-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V


力源芯城:
150V,3.7A,N沟道MOSFET


SI4848DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.70 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI4848DY-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI4848DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI4848DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.068Ω, 2.7A 搜索库存
替代型号SI4848DY-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI4848DY-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SO N-Channel 150V 3.7A 85mohms

当前型号

VISHAY  SI4848DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.068Ω, 2.7A

当前型号

型号: SI4848DY-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOIC N-Channel 150V 2.7A

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