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SQ9945AEY-T1-E3、STS4DNF60、STS4DNF60L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SQ9945AEY-T1-E3 STS4DNF60 STS4DNF60L

描述 MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOICN - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO- 8的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) - 315pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.4 W 2 W 2 W

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 4.00 A

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.045 Ω

极性 - - N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 - - 2.5 W

阈值电压 - - 1.7 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.00 A

上升时间 - - 28 ns

下降时间 - - 10 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2000 mW

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.25 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99