STS4DNF60中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 315pF @25VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS4DNF60引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS4DNF60 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO- 8的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STS4DNF60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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