M36DR432AD10ZA6T、M36DR432BD10ZA6T对比区别

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型号 M36DR432AD10ZA6T M36DR432BD10ZA6T

描述 32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

安装方式 - Surface Mount

引脚数 66 66

封装 LFBGA-66 LFBGA

长度 - 12 mm

宽度 - 8 mm

封装 LFBGA-66 LFBGA

高度 1.1 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

存取时间 100 ns -

内存容量 32000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 1.65V ~ 2.2V -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -