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FDS5351、SI4436DY-T1-GE3、SI4436DY-T1-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS5351 SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5351  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.0265 ohm, 10 V, 2 VN通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFETN通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.0265 Ω 0.03 Ω 36 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 6.1A 8.00 A 6.1A

输入电容(Ciss) 1310pF @30V(Vds) 1100pF @30V(Vds) 1100pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 5 W 5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 5W (Ta) 2500 mW 2500 mW

针脚数 8 8 -

阈值电压 2 V 2.5 V -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 60 V - -

上升时间 3 ns - -

下降时间 2 ns - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.57 mm 1.55 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -