通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0265 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1310pF @30VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.57 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS5351 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5351 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.0265 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS5351 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 60V 6.1A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5351 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.0265 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 | |
型号: SI4436DY-T1-GE3 品牌: 威世 封装: 8-SO N-Channel 60V 8A 36mΩ | 功能相似 | N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V D-S MOSFET | FDS5351和SI4436DY-T1-GE3的区别 | |
型号: SI4436DY-T1-E3 品牌: 威世 封装: 8-SO N-CH 60V 6.1A 36mΩ | 功能相似 | N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V D-S MOSFET | FDS5351和SI4436DY-T1-E3的区别 |