FQP3N80C、STP3NK80Z、2SK2603(F)对比区别

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型号 FQP3N80C STP3NK80Z 2SK2603(F)

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP3N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS  STP3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 VTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 3.00 A 2.50 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 4 Ω 4.5 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 107 W 70 W 100 W

阈值电压 5 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 2.50 A -

上升时间 - 27 ns -

输入电容(Ciss) 705pF @25V(Vds) 485pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 107 W 70 W -

下降时间 - 40 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 107W (Tc) 70W (Tc) -

长度 10.1 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 9.4 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -