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STP3NK80Z

STP3NK80Z

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STMICROELECTRONICS  STP3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP3NK80Z, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
STP3NK80Z


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP3NK80Z  Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 800V 3A 4500mOhm TO220-3 **


力源芯城:
800V,4.5Ω,2.5A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220


STP3NK80Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 2.50 A

针脚数 3

漏源极电阻 4.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 485pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP3NK80Z引脚图与封装图
STP3NK80Z引脚图

STP3NK80Z引脚图

STP3NK80Z封装图

STP3NK80Z封装图

STP3NK80Z封装焊盘图

STP3NK80Z封装焊盘图

在线购买STP3NK80Z
型号 制造商 描述 购买
STP3NK80Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STP3NK80Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP3NK80Z

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 800V 2.5A 4.5Ω

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STP55NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

类似代替

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP3NK80Z和STP55NF06的区别

型号： STP60NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

STP3NK80Z和STP60NF06的区别

型号： STP5NK100Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

STP3NK80Z和STP5NK100Z的区别