TPS1100PW、TPS1100PWR、TPS1100PWRG4对比区别

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型号 TPS1100PW TPS1100PWR TPS1100PWRG4

描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8

通道数 1 1 -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 0.504 W 0.504 W -

漏源极电压(Vds) 15 V 15 V -15.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.27A 400 mA 1.27A

上升时间 10 ns 10 ns -

额定功率(Max) 504 mW - -

下降时间 2 ns 2 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -

耗散功率(Max) 504mW (Ta) 504mW (Ta) -

额定电压(DC) - -15.0 V -

额定电流 - -1.27 mA -

漏源极电阻 - 180 mΩ -

漏源击穿电压 - 15 V -

宽度 3 mm 3 mm -

高度 1.05 mm 1.2 mm -

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8

长度 - 4.4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free