TPS1100PW、TPS1100PWR、TPS1100PWRG4对比区别
型号 TPS1100PW TPS1100PWR TPS1100PWRG4
描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8
通道数 1 1 -
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 0.504 W 0.504 W -
漏源极电压(Vds) 15 V 15 V -15.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.27A 400 mA 1.27A
上升时间 10 ns 10 ns -
额定功率(Max) 504 mW - -
下降时间 2 ns 2 ns -
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -
耗散功率(Max) 504mW (Ta) 504mW (Ta) -
额定电压(DC) - -15.0 V -
额定电流 - -1.27 mA -
漏源极电阻 - 180 mΩ -
漏源击穿电压 - 15 V -
宽度 3 mm 3 mm -
高度 1.05 mm 1.2 mm -
封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8
长度 - 4.4 mm -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free