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TLV2264IDG4、TLV2264IDR、TLV2264IDRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2264IDG4 TLV2264IDR TLV2264IDRG4

描述 高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

输出电流 - ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 800 µA 800 µA 800 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

耗散功率 0.95 W 950 mW 0.95 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 670 kHz 670 kHz 670 kHz

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 550 mV/μs

增益频宽积 710 kHz 0.71 MHz 710 kHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 2.5 mV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.71 MHz 710 kHz 0.71 MHz

耗散功率(Max) - 950 mW 950 mW

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

电源电压 - 2.7V ~ 8V -

电源电压(Max) - 8 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

长度 - 8.65 mm 8.65 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -