BC847BPDW1T2G、UMZ1NT1G、BC847BPDW1T1G对比区别

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型号 BC847BPDW1T2G UMZ1NT1G BC847BPDW1T1G

描述 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier TransistorON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T1G.  晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 3 6

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SC-70-6

频率 100 MHz 114 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - 50.0 V 45.0 V

额定电流 - 200 mA 1.00 A

额定功率 - - 0.38 W

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

输出电压 - - ≤5.00 V

针脚数 6 3 3

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 380 mW 250 mW 380 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 50 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.2A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 6V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 380 mW 250 mW 380 mW

直流电流增益(hFE) 200 200 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 380 mW 385 mW 380 mW

集电极击穿电压 - 50.0 V -

增益频宽积 100 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 475 - -

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm - 0.9 mm

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99