DS1245Y-70IND、M48Z128Y-70PM1、DS1245Y-70IND+对比区别

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型号 DS1245Y-70IND M48Z128Y-70PM1 DS1245Y-70IND+

描述 1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 - 105 mA -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

存取时间(Max) - 70 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

负载电容 5.00 pF - -

针脚数 - - 32

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

长度 - - 44.2 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 9.9 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 3A991.b.2.a EAR99 3A991.b.2.a

香港进出口证 - NLR -