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DS1245Y-70IND+

DS1245Y-70IND+

数据手册.pdf

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

静态 RAM,

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP


欧时:
Maxim DS1245Y-70IND+, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 32针 EDIP封装


立创商城:
DS1245Y-70IND+


贸泽:
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile


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非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 70 ns, EDIP


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP


Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 70 ns


DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP


Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32EDIP


DS1245Y-70IND+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

针脚数 32

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 125000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 EDIP-32

外形尺寸

长度 44.2 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.9 mm

封装 EDIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Embedded Design & Development

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

DS1245Y-70IND+引脚图与封装图
DS1245Y-70IND+引脚图

DS1245Y-70IND+引脚图

DS1245Y-70IND+封装焊盘图

DS1245Y-70IND+封装焊盘图

在线购买DS1245Y-70IND+
型号 制造商 描述 购买
DS1245Y-70IND+ Maxim Integrated 美信 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM 搜索库存
替代型号DS1245Y-70IND+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1245Y-70IND+

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 125000B 5V 70ns 32Pin

当前型号

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

当前型号

型号: DS1245Y-70+

品牌: 美信

封装: DIP 125000B 5V 70ns 32Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70+  芯片, 存储器, NVSRAM, 1024KB, 128KX8, 32EDIP

DS1245Y-70IND+和DS1245Y-70+的区别

型号: DS1245Y-120IND+

品牌: 美信

封装: DIP 125000B 5V 120ns 32Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-120IND+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1245Y-70IND+和DS1245Y-120IND+的区别

型号: DS1245Y-70

品牌: 美信

封装: 32-DIP 125000B 5V 70ns 32Pin

类似代替

1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM

DS1245Y-70IND+和DS1245Y-70的区别