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TLV2262AIDR、TLV2262AQDR、TLC2262AIDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2262AIDR TLV2262AQDR TLC2262AIDR

描述 LinCMOS 运算放大器,TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERSCMOS,满电源幅度运放

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA

供电电流 400 µA 400 µA 425 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

耗散功率 725 mW - 725 mW

共模抑制比 70 dB - 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 670 kHz 670 kHz 820 kHz

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 550 mV/μs

增益频宽积 710 kHz 710 kHz 0.82 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 0.71 MHz - 730 kHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB

电源电压(Max) 8 V - 16 V

电源电压(Min) 2.7 V - 4.4 V

电源电压 2.7V ~ 8V - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15