PBSS5160V、PBSS5160V,115对比区别

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型号 PBSS5160V PBSS5160V,115

描述 60 V ，1 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorSOT-666 PNP 60V 1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-666 SOT-563

频率 - 220 MHz

极性 PNP PNP

耗散功率 500 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 150 @500mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @1mA, 5V

额定功率(Max) - 500 mW

耗散功率(Max) - 500 mW

直流电流增益(hFE) 150 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

封装 SOT-666 SOT-563

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -