PBSS5160V,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5160V,115中文资料参数规格
技术参数
频率 220 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS5160V,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS5160V,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5160V,115 | NXP 恩智浦 | SOT-666 PNP 60V 1A | 搜索库存 |
替代型号PBSS5160V,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5160V,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-666 PNP 500mW | 当前型号 | SOT-666 PNP 60V 1A | 当前型号 |
| 型号： PBSS5160V 品牌： 恩智浦 封装： SOT-666 PNP | 功能相似 | 60 V ，1 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 60 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor | PBSS5160V,115和PBSS5160V的区别 |